LOGO

Login Join

특구별 특허검색

전체 1,065건, 1/107페이지

표면합금층을
광주특구 [기계/소재] [기타] 표면합금층을 갖는 비철금속재 및 그 제조방법(NONFERROUS METAL AND PROCESS THEREOF)

본 발명은 비철금속으로 이루어진 모재의 표면결함을 낮추고 피로강도 및 표면경도를 향상시킬 수 있는 표면합금층을 갖는 비철금속재 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 이를 위해, 비철금속으로 이루어진 모재를 마련하는 모재마련단계; 상기 모재 보다 낮은 경도로 이루어진 아연재의 구형쇼트볼을 제공하는 볼제공단계; 상기 구형쇼트볼을 모재의 표면을 향해 0.1~0.4㎫의 압력으로 분사하는 분사단계; 상기 구형쇼트볼이 모재의 표면입자와 결합되면서 물리적구조가 변화되어 모재의 표면으로부터 미세결정립구조의 표면합금층을 형성하는 합금화단계;를 포함하여 표면합금층을 갖는 비철금속재를 제조하는 것이다.

타격증발
광주특구 [기계/소재] [기타] 타격증발 착막처리용 원통형 자석체(Cylinderical magnetron for sputtering)

본 발명은 원통형 지지물의 내측 양 끝에는 동심원상으로 고정 홈을 등간격으로 다수 개 형성하고 상기 고정 홈에는 자장이 결맞도록 자석이 설치되어 형성된 제1 및 제2 자석군을 형성하는 자석들과 외면이 접하도록 지지원통과 그 내측으로 타격체를 설치하며 타격체의 중심부는 작업재가 통과할 수 있도록 공간이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 타격증발 착막처리용 원통형 자석체에 관한 것으로서, 원기둥형 작업재의 표면에 대한 금속 증착에 있어서 원기둥형 및 기타 곡면을 가진 작업재의 표면전체에 대한 균일증착 및 증착두께의 균일화를 이룰 수 있게 된다.

고진공
대덕특구 [기계/소재] [정밀기기] 고진공 마그네트론 스퍼터링 건(A high vacuum magnetron sputter gun)

본 발명은 고진공 마그네트론 스퍼터링 건에 관한 것으로, 더 상세하게는 종래 마그네트론 스퍼터링 건에 하우징 양단의 상부에 각각 구비되는 2개의 양극; 상기 양극 상부에 각각 구비되는 2개의 필라멘트; 및 진공펌프관과 진공펌프를 추가로 구비하여, 중성화된 아르곤 기체를 재차 이온화시켜 고진공을 유지시킴으로써, 고품질의 박막을 생산하는데 유용하게 사용할 수 있다. 마그네트론 스퍼터링, 고진공, 필라멘트, 플라즈마

무전해
광주특구 [기계/소재] [기타] 무전해 구리 도금액 조성물 및 이를 이용한 무전해 구리 도금방법(Electroless copper plating solution composition and methods of plating copper using the same)

본 발명은 포름알데히드를 환원제로 사용하지 않으면서 도금액의 안정성을 향상시킬 수 있는 무전해 구리 도금액 조성물 및 이를 이용한 무전해 구리 도금방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 일 관점에 의하면, 시안화합물 및 포름알데히드를 함유하지 않으며, 알데히드의 유도체; 알데히드기 또는 케톤기를 가진 환원당; 및 인산염 유도체;로 이루어진 군에서 선택된 적어도 둘 이상을 함유하는 무전해 구리 도금액 조성물이 제공된다.

무연
광주특구 [기계/소재] [기타] 무연 및 무 카드뮴 무전해 니켈 도금액, 이를 이용한 무전해 도금 방법, 및 이를 이용하여 제조된 니켈 도금층(Lead-free and cadmium-free electroless plating solution, method of electroless plating using the same, and nickel plating layer using the same)

본 발명은, 환경친화적이고 향상된 니켈 도금액 안정성을 가지고 우수한 도금 특성을 제공하는 무연 및 무 카드뮴 무전해 니켈 도금액을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 무연 및 무 카드뮴 무전해 니켈 도금액은, 도금용 니켈 이온을 제공하는 니켈 금속염; 도금용 니켈 이온을 환원시키는 환원제; 도금용 니켈 이온과 착화물을 형성하고, 카르복실산 및 알파히이드록실산을 포함하는 착화제; 및 도금용 니켈 이온의 환원 반응을 억제하고, 무연 및 무 카드뮴이고, 금속 원소를 포함하는 금속 안정제;를 포함한다.

박막형
광주특구 [기계/소재] [기타] 박막형 컴포지트 소재 및 그 제조방법(THIN FILM COMPOSITE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

본 발명은 광택금속을 증착원으로 하여 플라스마(Plasma)를 이용하여 양이온을 형성시키고, 형성된 양이온을 박판상 중합체 모재에 직류(Direct Current: DC) 바이어스를 거는 이온 플레이팅(Ion Plating)법으로 50㎚∼200㎚의 두께를 갖는 증착금속박막을 형성시키는 것에 의해 제조되는 박막형 컴포지트(Composite) 소재에 관한 것으로서 본 컴포지트 소재는 모재에 대한 부착력이 매우 우수하고 반사율 또한 높은 등의 장점이 있는 것이다.

온도
부산특구 [기계/소재] [해양플랜트 엔지니어링 및 서비스] 온도 제어 수단을 구비한 고주파 열처리 장치(HIGH FREQUENCY HEAT TREATMENT APPARATUS HAVING THE TEMPERATURE CONTROL DEVICE)

본 발명은 온도 제어 수단을 구비한 고주파 열처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 강철의 고주파 열처리에 있어 고주파 열처리와 함께 냉각수에 의한 담글질이 자동으로 실시되는, 온도 제어 수단을 구비한 고주파 열처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 온도 제어 수단을 구비한 고주파 열처리 장치는 고주파에 따라 피처리물의 표층을 고주파 가열하고 물을 분사하여 담금질 경화하는 고주파 열처리 장치로서, 가열하는 피처리물의 온도를 조절하는 온도 제어 수단과 담금질 수단을 동시에 갖추는 것을 특징으로 한다.

박막
대덕특구 [기계/소재] [정밀기기] 박막 증착 장치(Thin Film Deposition Apparatus and Thin Film Deposition Method)

본 발명은 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법을 제공한다. 이 박막 증착 장치는 진공 챔버, 진공 챔버 내부에 배치된 제1 유도 코일, 제1 유도 코일의 중심 영역에 배치된 부양 물질, 제1 유도 코일에 교류 전력을 제공하여 부양 물질을 부양하고 유도 가열하여 부양 물질을 증발시키는 제1 교류 전원, 제1 유도 코일과 수직으로 이격되어 배치된 제2 유도 코일, 제2 유도 코일의 중심 영역에 배치되고 기판을 포함하는 기판 구조체, 및 제2 유도 코일에 교류 전력을 제공하여 기판 구조체를 유도 가열하는 제2 교류 전원을 포함한다. 부양 물질에서 증발된 증기는 기판에 도달하여 박막을 형성한다.

아미노싸이올레이트를
대구특구 [기계/소재] [메카트로닉스 융복합] 아미노싸이올레이트를 이용한 게르마늄 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법(GERMANIUM PRECURSORS WITH AMINOTHIOLATE, PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME)

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체에 관한 것으로, 상기 게르마늄 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화게르마늄 박막을 형성할 수 있다. [화학식 1] (상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)

신규의
대구특구 [기계/소재] [메카트로닉스 융복합] 신규의 텅스텐 실릴아미드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법(NOVEL TUNGSTEN SILYLAMIDE COMPOUNDS, PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME)

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 텅스텐 화합물은 열적으로 안정하고 높은 휘발성을 가지고 있어 양질의 텅스텐을 포함하는 박막을 형성할 수 있다. [화학식 1] (상기 식에서, R1은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이다.)